測量范圍 | 電阻率：0.001～200Ω.cm(可擴(kuò)展)；
方塊電阻：0.01～2000Ω/□(可擴(kuò)展)；
電導(dǎo)率：0.005～1000 s/cm；
電阻：0.001～200Ω.cm； |
可測晶片厚度 | ≤3mm |
可測晶片直徑 | 140mmX150mm(配S-2A型測試臺)；
200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；
400mmX500mm(配S-2C型測試臺)； |
恒流源 | 電流量程分為0.1mA、1mA、10mA、100mA四檔，各檔電流連續(xù)可調(diào) |
數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示； |
四探針探頭基本指標(biāo) | 間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)； |
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) | (見探頭附帶的合格證) |
模擬電阻測量相對誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行) | 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
整機(jī)測量相對誤差 | (用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±4% |
整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 | ≤4% |
計算機(jī)通訊接口 | 并口 |
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 | 溫度：23±2℃；
相對濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強(qiáng)光直射； |
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